[科学技术]世界首款3D高密度NOR闪存原型芯片亮相 国产新一代闪存芯片或能

中国科技网讯(夏青)当地时间8月6日至8日，2019全球闪存峰会在美国加州圣克拉拉会议中心举行，吸引了华为、Inspur、诺村微电子等“中国面孔”6500余名与会者和120家参展商。

据悉，此次国际峰会每年举行一次，由全球闪存技术协会组织。它包括两个部分:论坛和展览，只对全球存储行业的专业人士开放，如技术企业、R&D人员和供应商。业内龙头企业如今年宣布商业化生产28纳米fd-soi工艺emram的三星、今年发布行业首款qlc企业固态硬盘的美光等参加了会议；western digital的siva sivaram博士、东芝的christopher bergey、jeremy werner、ibm的shigeo ohshima、IBM的steven eliuk、英特尔的alper ilkabahar等存储行业专家发表了主旨演讲；诺村微电子带来了全球首款3d高密度nor闪存原型芯片，以及国内首批具有dtr双速功能的八spi和四spi高速nor闪存expresnor系列产品；美光公司总裁Sanjay mehrotra被峰会组委会授予终身成就奖。

新一代国产闪存芯片能否突破？

随着人工智能、5g、物联网、大数据等技术的快速发展，将带来数据的爆炸式增长和对存储芯片前所未有的需求，存储介质和架构也将迎来更加快速的变化。根据2018年中国闪存市场峰会发布的数据，全球半导体存储市场达到1500亿美元，其中nand闪存市场超过570亿美元；中国消耗了全球32%的产能，已经成为全球仓储行业的支柱市场。然而，全球nand闪存市场几乎被三星、东芝、美光和sk Hynix垄断，nor闪存的市场份额几乎被赛普拉斯、王鸿、美光、温邦德和赵一创新瓜分。

“传统的nor闪存主要是平面结构，但其2d设计接近物理极限。为了克服产品可靠性降低和成本上升的问题，3d是一种技术变革趋势；目前，世界3d技术主要针对nand闪存芯片，nor没有3d结构。”成立于2015年的诺村微电子选择以自主知识产权技术创新“deus ex”。“我们开发了世界上第一个3 D高密度或非门闪存原型芯片，它结合了传统或非门的性能优势和与非门的成本优势。通过将nor闪存的slc单元尺寸减小到仅4f2，制造成本大大降低，同时保持nor适合代码操作的随机存取功能。低成本+高性能可以与传统的或非和非竞争。”它的创始人彭海兵博士介绍的。

经询问，其3D非易失性或非闪存于2015年12月申请了发明专利，并于2018年9月获得授权。

“胸怀大志”也要“脚踏实地”

为了冲击市场，保持增长，专注于自主知识产权的技术创新，似乎是年轻的知识密集型高科技公司的共同战略选择。但据了解，这家拥有蒂奇福柯、金钟前海、中科创兴基金投资背景，核心团队由海归博士、国际知名技术专家和高级管理人才组成的企业，不仅专注于3d结构的nor闪存领域，还实施了一些务实的营销策略。

这个思路被彭海兵称为“循序渐进”，即“中长期以专利高密度存储阵列为主，短期高性价比产品为辅，以兼容性替代热门竞争产品的市场模式”。2018年底，其首款具有dtr双速功能的高速八spi和四spi nor闪存产品具有高速读取、高可靠性和低成本的特点，填补了国内空空白；高性能expresnor系列产品具有速度快16倍、引脚少、与传统spi完全兼容三大优势，可广泛应用于安全系统、路由器、网关、物联网、手机、消费电子、计算机bios、电信设备、汽车电子、工业控制设备等智能电子设备。